【EVモータ論】GaNおよびSiCパワー半導体市場規模、成長、2034年までの予測

2026年10月時点の市場報道と、その後の検証結果

Fortune Business Insightsの「GaNおよびSiCパワー半導体市場規模、成長、2034年までの予測」は、EV・再生可能エネルギー・産業機器を背景に、SiCとGaNを一つの成長領域として統合的に捉えた市場予測である。当時の論点は、単なる素子性能ではなく、EVの800V化、充電器・DC-DC変換、駆動インバータの効率向上、そしてパッケージ・熱設計の課題を含めた産業構造の変化にあった。

ポイント：SiCは車載主電源に先行し、GaNは車載補助電源・産業用電源で先行する。市場予測は「素子性能」より「量産信頼性・コスト・熱設計」で決まる。

発表当初の想定

• SiCはEV駆動インバータの主材料として普及し、650V/1200V MOSFETが主流になる。
• GaNは高周波スイッチングにより、変換器の小型化に寄与する。
• 両者は競合ではなく、電圧・温度・信頼性の要件により使い分けられる。

磁気回路とインバータ損失への影響

SiCやGaNの採用は、半導体損失だけでなく、インダクタ・トランス・モータ側磁気回路の設計条件を変える。高周波化により、鉄損は周波数に比例して増加する。簡易モデルでは、コア損は P_core ∝ f^αB_max^β で評価される。SiC化でスイッチング周波数が2倍になれば、同じ磁束密度では鉄損が1.5〜3倍程度に増える可能性がある。

一方で、半導体側のスイッチング損失は、ターンオン損失 E_on ∝ V·I、